100V N沟道增强型MOSFET详细介绍

摘要：

AH15N10 100V N沟道增强型MOSFET是一种采用高单元密度***沟槽技术生产的功率效应瞬态器件。该器件在低压应用的电源管理和DC-DC转换器中表现出色，其高密度工艺特点使得状态电阻极小化，从而提供了*越的性能。

引言：

随着电子设备不断发展，对功率半导体器件的需求也日益增长。在低压应用中，高性能的MOSFET器件对于***电源管理至关重要。AH15N10 100V N沟道增强型MOSFET是一款采用高度***的沟槽技术制造的器件，为低压应用提供了***的解决方案。

1. ***沟槽技术：

AH15N10采用高单元密度的沟槽技术制造，这意味着其通道上有更多的沟槽单元，从而实现更好的电流承载能力。这一特点使得器件在低电压条件下依然能够提供***性能。

2. 最小化状态电阻：

在电源管理和DC-DC转换器应用中，状态电阻是一个关键参数。AH15N10的高密度工艺特点使得器件的状态电阻极小化，从而降低了功耗和热量的产生。这不仅提高了效率，还延长了器件的寿命。

3. 低压应用的理想选择：

AH15N10的工作电压为100V，这使得它成为低压应用的理想选择。它可以在低电压条件下提供***的性能，同时也适用于广泛的应用领域，如移动设备、通信设备和工业控制系统。

4. 电源管理和DC-DC转换器的应用：

AH15N10特别适用于电源管理和DC-DC转换器应用。其高性能和低状态电阻确保了在这些应用中能够实现高效的电能转换，从而延长电池寿命、降低功耗并减少热量的产生。

特性

100V/15AzRps oN）=80.0mQ（典型值）@vGS=10V

100V/8A，RpsoN=115mQ（典型值）@vGs=4.5V

***设计，适用于极低的RD（ON）

卓*的导通电阻和直流电流能力

完全符合RoHS

SOP8和TO252封装设计

***UIS测试

***Rg测试

应用

电源管理

DCIDC转换器

负载开关

结论：

AH15N10 100V N沟道增强型MOSFET是一款采用高单元密度***沟槽技术制造的器件，特别适用于低压应用的电源管理和DC-DC转换器。其高性能、极小化的状态电阻以及广泛的应用领域使得它成为解决低压电源管理需求的***选择。随着电子技术的不断发展，AH15N10将继续在低压应用中发挥重要作用，推动电子设备的性能提升和能源效率的提高